Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能；采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构；利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明，双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上，并对Cu具有一定的阻挡效果，而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比，双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的（111）织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后，薄膜样品应力平均值为206MPa；而电镀Cu膜后，样品应力平均值为-661．7MPa。