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C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备
引用本文:张玉娣,张长瑞,李俊生. C/SiC陶瓷基复合材料表面Si/SiC涂层制备[J]. 材料工程, 2004, 0(10): 29-31,35
作者姓名:张玉娣  张长瑞  李俊生
作者单位:国防科技大学航天与材料工程学院先进陶瓷纤维及其复合材料重点实验室,长沙,410073
摘    要:采用新的泥浆预涂层-反应烧结工艺在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC致密涂层,重点研究了原材料、工艺条件对涂层性能的影响;采用XRD分析涂层的组分及晶体结构,采用SEM分析涂层的断口形貌.结果显示,采用MC为胶粘剂、较低的裂解升温速度制备的预涂层性能最好;无Si气氛存在直接高温烧结制备涂层性能差,而在真空环境下、1450~1600℃温度范围高温烧结能够制备出致密的Si/SiC涂层,Si气氛的大量存在是决定涂层性能的关键.

关 键 词:C/SiC陶瓷基复合材料  预涂层  反应烧结  Si/SiC涂层  陶瓷基  材料表面  涂层制备  Preparation  Coating  温度范围  真空环境  高温烧结  存在  度制  升温  胶粘剂  显示  结果  断口形貌  晶体结构  组分  分析  影响  涂层性能
文章编号:1001-4381(2004)10-0029-03

Preparation of Si/SiC Coating on C/SiC Ceramic Matrix Composites
ZHANG Yu-di,ZHANG Chang-rui,LI Jun-sheng. Preparation of Si/SiC Coating on C/SiC Ceramic Matrix Composites[J]. Journal of Materials Engineering, 2004, 0(10): 29-31,35
Authors:ZHANG Yu-di  ZHANG Chang-rui  LI Jun-sheng
Abstract:
Keywords:C/SiC CMC  precoating  reaction-sinter  Si/SiC coating
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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