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| ZnSe-ZnTe应变层超晶格用于光电器件的新材料 | |
| 引用本文： | 刘卫民.ZnSe-ZnTe应变层超晶格用于光电器件的新材料[J].液晶与显示,1989(Z1). |
| 作者姓名： | 刘卫民 |
| 摘 要： | 采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由蓝绿至红的可见光范围内.为了获得宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的p型和n型电导,采用调制掺杂技术制备了ZnSe-ZnTe超晶格,如果在ZnTe层中有选择地掺杂Sb,则所有样品呈现p型电导,且空穴浓度为(0.5-1.0)×10~(14)cm~(-3)。另一方面,Ga掺杂的应变层超晶格的电子浓度为(2-7)×10~(13)cm(-3)。其 |
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