| 一种低压低温漂的CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 肖明,吴玉广,唐华,张上洋. 一种低压低温漂的CMOS带隙基准源[J]. 微计算机信息, 2006, 22(32): 304-306 |
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| 作者姓名： | 肖明 吴玉广 唐华 张上洋 |
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| 作者单位： | 710071,陕西,西安,西安电子科技大学微电子所 |
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| 基金项目： | 信息产业部电子科学院军事电子预研项目 |
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| 摘 要： | 基于标准0.35umCMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,与传统采用PTAT电压作为温度曲率校正电压相比,获得了一个电路结构简单,性能更好的带隙基准源。使用Hspice进行仿真,仿真结果表明电路可以在-20-100℃范围内,平均温度系数约2ppm/℃,工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
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| 关 键 词： | 带隙基准源 曲率校正 温度系数 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1008-0570(2006)11-2-0304-03 |
| 修稿时间： | 2006-02-16 |
A Curvature-Corrected CMOS Bandgap Reference |
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| XIAO MING,WU YUGUANG,TANG HUA,ZHANG SHANGYANG. A Curvature-Corrected CMOS Bandgap Reference[J]. Control & Automation, 2006, 22(32): 304-306 |
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| Authors: | XIAO MING WU YUGUANG TANG HUA ZHANG SHANGYANG |
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| Abstract: | The design of curvature correction temperature compensation bandgap reference circuit use the first order temperature com-pensation bandgap reference voltage as a curvature voltage.and get a better circuit than usually use a PTAP voltage as a curvature voltage,which is fabricated with 0.35um CMOS technology. The bandgap reference has a average temperature coefficient of 2ppm/oC, and a power supply rejection ratio of -90dB. |
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| Keywords: | Bandgap Reference Curvature Correction CT PSRR |
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