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硅PN结基底TiO2氧传感器的特性研究
引用本文:张辉军,穆长生,王璐.硅PN结基底TiO2氧传感器的特性研究[J].仪器仪表学报,2006,27(Z2):1625-1626.
作者姓名:张辉军  穆长生  王璐
作者单位:黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080
基金项目:黑龙江省教育厅科学技术研究项目
摘    要:采用薄膜工艺及MEMS工艺研制了一种以硅PN结为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、工艺流程及射频磁控溅射制备银电极及TiO2薄膜的方法.利用XRD、SEM分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构.基于该结构的氧传感器具有良好的感特性及响应特性,具有响应时间短、信号线性度好、灵敏度高等优点.

关 键 词:薄膜  PN结  射频磁控溅射  氧传感器  金红石相

Characteristic of TiO2 oxygen sensor with silicon PN-junction substrate
Zhang Huijun,Mu Changsheng,Wang Lu.Characteristic of TiO2 oxygen sensor with silicon PN-junction substrate[J].Chinese Journal of Scientific Instrument,2006,27(Z2):1625-1626.
Authors:Zhang Huijun  Mu Changsheng  Wang Lu
Abstract:
Keywords:
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