| 分子镀法制备厚镅(241,243Am)靶 |
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| 引用本文： | 秦芝,郭俊盛,甘再国. 分子镀法制备厚镅(241,243Am)靶[J]. 同位素, 2000, 0(4) |
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| 作者姓名： | 秦芝 郭俊盛 甘再国 |
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| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所,甘肃,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院留学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了异丙醇-硝酸介质中镅(241,243Am)的分子镀过程和实验条件.在保持电压为550 V、电流密度为4～6 mA/cm2的条件下电镀1 h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔(厚度7 μm)衬底材料上制备出厚度为0.6～1.2 mg/cm2的241,243Am靶.
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| 关 键 词： | 分子镀 厚镅靶 |
Preparation of the Thicker 241,243Am Targets by Molecular Plating Method |
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| QIN Zhi,GUO Jun-sheng,GAN Zai-guo. Preparation of the Thicker 241,243Am Targets by Molecular Plating Method[J]. Isotopes, 2000, 0(4) |
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| Authors: | QIN Zhi GUO Jun-sheng GAN Zai-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 241 243Am |
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