| 2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 丘聪,叶甜春,范军. 2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2010, 30(1) |
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| 作者姓名： | 丘聪 叶甜春 范军 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。
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| 关 键 词： | 射频集成电路 低噪声放大器 噪声系数 |
Design of a 2.4 GHz Variable Gain CMOS Low Noise Amplifier |
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| QIU Cong,YE Tianchun,FAN Jun. Design of a 2.4 GHz Variable Gain CMOS Low Noise Amplifier[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2010, 30(1) |
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| Authors: | QIU Cong YE Tianchun FAN Jun |
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| Abstract: | A 2.4 GHz variable gain CMOS low noise amplifier (LNA) is presented in this paper. This LNA is implemented in HJKJ 0.18 μm CMOS process and the measurement results show that it achieves less than 3 dB noise figure with 11.5 dB maximum power gain, the variable gain range is 0～11.5 dB. It draws 3 mA current from 1.8 V power supply. |
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| Keywords: | RFIC low noise amplifier noise figure |
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