| 脉冲直流PCVD制备Ti（C，N）薄膜及其组织结构分析 |
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| 引用本文： | 王昕,马大衍,马胜利,徐可为.脉冲直流PCVD制备Ti（C，N）薄膜及其组织结构分析[J].稀有金属材料与工程,2004,33(2):204-206. |
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| 作者姓名： | 王昕 马大衍 马胜利 徐可为 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049 |
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| 基金项目： | 国家"863"计划资助项目(2001AA883010) |
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| 摘 要： | 用工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积(PCVD)设备,针对不同混合气体CH4所占比例,在H13模具钢表面沉积了Ti(C,N)薄膜。用SEM观察薄膜断口形貌,用XRD及XPS分析薄膜相组成和价态。结果表明：一定量碳元素的加入,抑制了TiN薄膜中柱状晶的生长,并且阻止了TiN晶粒的长大。Ti(C,N)的相结构可能为TiN和TiC两相混合,但在C(或N)含量较低的膜层中,c(或N)原子也会以置换的方式存在于TiN(或TiC)单相组织中。
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| 关 键 词： | PCVD Ti（C N） 相结构 |
| 文章编号： | 1002-185X(2004)02-0204-03 |
| 修稿时间： | 2002年4月16日 |
Microstructure of Ti(C,N) Films Coated by Pulsed-d.c PCVD |
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| Wang Xin,Ma Dayan,Ma Shengli,Xu Kewei.Microstructure of Ti(C,N) Films Coated by Pulsed-d.c PCVD[J].Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(2):204-206. |
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| Authors: | Wang Xin Ma Dayan Ma Shengli Xu Kewei |
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| Abstract: | Using pulsed DC plasma chemical vapor deposition technology, the Ti(C, N) films on H13 steel were prepared under different CH4 atmospheres. The cross-sections of the Ti(C,N) films were investigated by SEM, and the elements in the film were characterized by XRD and XPS .The results show that addition of C to TiN film prevents the growth of TiN grains and development of column structure. The Ti(C, N) can be composed of two phases of TiN and phase TiC. |
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| Keywords: | PCVD Ti(C N) microstructure |
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