| 退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响 |
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| 引用本文： | 李成,赖虹凯,陈松岩.退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响[J].半导体学报,2006,27(1):82-85. |
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| 作者姓名： | 李成 赖虹凯 陈松岩 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，厦门 361005;厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，厦门 361005 |
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| 基金项目： | 福建省青年科技人才创新基金
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国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.
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| 关 键 词： | β-FeSi2 光致发光 退火 退火温度 颗粒 电致发光谱 影响 Luminescence Annealing Temperature Influence Silicon Embedded 室温 漏电流 二极管 光谱展宽 入位 热膨胀系数 晶格失配 结晶质量 样品 结果 电学特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)01-0082-04 |
| 收稿时间： | 08 5 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 09 19 2005 12:00AM |
Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon |
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| Li Cheng,Lai Hongkai and Chen Songyan.Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1):82-85. |
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| Authors: | Li Cheng Lai Hongkai and Chen Songyan |
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| Affiliation: | Research Center for Semiconductor Photonics,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Research Center for Semiconductor Photonics,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Research Center for Semiconductor Photonics,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China |
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