| 高功率半导体激光器红外缺陷发射与热效应 |
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| 引用本文： | 越方禹,毛峰,王涵,张小玲,陈晔,敬承斌,褚君浩. 高功率半导体激光器红外缺陷发射与热效应[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(11): 1-9 |
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| 作者姓名： | 越方禹 毛峰 王涵 张小玲 陈晔 敬承斌 褚君浩 |
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| 作者单位： | 华东师范大学信息学院光电系极化材料与器件教育部重点实验室,上海,200241;华东师范大学信息学院光电系极化材料与器件教育部重点实验室,上海200241;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 高功率半导体激光器具有效率高、寿命长、体积小,及成本低等优点,在国防军事、材料加工和抽运源等领域具有广泛应用。阐述了镓砷/GaAs基近红外波段激光器和镓氮/GaN基蓝绿光波段激光器的缺陷类型、发射特征,以及相关研究进展,通过聚焦商用器件,利用变条件分波段发射谱及其热像,展示了与缺陷相关的发射信号来源和空间分布,分析了内部光学损伤(COD)动力学,指出了现有“外COD”模型在解释器件热退化机理上的局限性。
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| 关 键 词： | 激光器 高功率半导体激光器 红外缺陷发射 热效应 |
Infrared Defect Emission and Thermal Effect in High Power Diode Lasers |
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| Yue Fangyu,Mao Feng,Wang Han,Zhang Xiaoling,Chen Ye,Jing Chengbin,Chu Junhao. Infrared Defect Emission and Thermal Effect in High Power Diode Lasers[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(11): 1-9 |
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| Authors: | Yue Fangyu Mao Feng Wang Han Zhang Xiaoling Chen Ye Jing Chengbin Chu Junhao |
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| Affiliation: | (Key Laboratory of Polar Materials and Devices,Ministry of Education,Department of Optoelectronics,School of Inform ation Science Technology,East China Normal University,Shanghai 200241,China;National Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China) |
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| Abstract: | Yue Fangyu;Mao Feng;Wang Han;Zhang Xiaoling;Chen Ye;Jing Chengbin;Chu Junhao(Key Laboratory of Polar Materials and Devices,Ministry of Education,Department of Optoelectronics,School of Inform ation Science Technology,East China Normal University,Shanghai 200241,China;National Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China) |
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| Keywords: | lasers high power diode laser infrared defect emission thermal effect |
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