无平面结敏感区硅光电探测器

研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光电探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在一定的均匀光照下，器件的光电池也有一定的值。利用本文的分析模型，可以得到该器件的有效光敏面积，从而可以确定衬底材料中光生少子的扩散长度。