| Si衬底上SiC薄膜的快速生长 |
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| 引用本文： | 李家业,赵永梅,刘兴昉,孙国胜,王雷,赵万顺,罗木昌,曾一平,李晋闽. Si衬底上SiC薄膜的快速生长[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 218-220 |
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| 作者姓名： | 李家业 赵永梅 刘兴昉 孙国胜 王雷 赵万顺 罗木昌 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 李家业（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;赵永梅（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;刘兴昉（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;孙国胜（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王雷（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;赵万顺（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;罗木昌（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;曾一平（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李晋闽（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 摘 要： | 用垂直式低压化学气相沉积(LPCVD)系统,在(111)和(100)Si衬底上快速外延生长了SiC.用Nomarski光学显微镜和X射线衍射(XRD)分析了SiC外延膜.探讨了生长速度与反应气体流量的关系,HCl在反应过程中的作用机理,以及在快速生长条件下外延膜的结晶和取向关系.
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| 关 键 词： | 3C-SiC 快速生长 XRD |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0218-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-30 |
Fast Epitaxy of 3C-SiC Grown on Si Substrate |
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| Li Jiaye,Zhao Yongmei,Liu Xingfang,Sun Guosheng,Wang Lei,Zhao Wanshun,Luo Muchang,Zeng Yiping,Li Jinmin. Fast Epitaxy of 3C-SiC Grown on Si Substrate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 218-220 |
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| Authors: | Li Jiaye Zhao Yongmei Liu Xingfang Sun Guosheng Wang Lei Zhao Wanshun Luo Muchang Zeng Yiping Li Jinmin |
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