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| 25 keV附近中子平均俘获截面〈σ_(nγ)〉系统学研究 | |
| 作者姓名： | 赵志祥 周德邻 蔡敦九 |
| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 北京(赵志祥，周德邻)，中国原子能科学研究院 北京(蔡敦九) |
| 摘 要： | 文章研究了25keV附近中子平均俘获截面随质量数A、有效激发能U及能级密度参数α的系统学依赖性。给出系统学公式为〈σ_(nγ)〉=0.3482A~(-1.033)U~(-0.2438)α~(0.8569)exp{1.011(αU)~(1/2)} |
| 关 键 词： | (n γ)反应截面 系统学 壳效应 能级密度参数 |
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