| 射频等离子体改性工艺与氧化铟锡薄膜性能研究 |
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| 引用本文： | 钟志有.射频等离子体改性工艺与氧化铟锡薄膜性能研究[J].真空科学与技术学报,2008,28(2):138-142. |
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| 作者姓名： | 钟志有 |
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| 作者单位： | 中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 中南民族大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用正交实验方法研究了氧气等离子体表面改性中各工艺因素对ITO薄膜表面性质的影响,获得了IID表面改性的最佳工艺条件,并且通过XPS,AFM,透射光谱的分析以及薄膜表面接触角和方块电阻的测量,表征了优化工艺条件下氧气等离子体处理前后ITO薄膜的表面性质.结果表明,氧气等离子体处理降低了ITO表面的粗糙度和方块电阻,改善了ITO表面的化学组分和浸润性能.另外,以表面处理前后的ITO基片作为空穴注入电极,采用真空热蒸镀技术制备了有机薄膜电致发光(OTFEL)器件,并对器件的电流.电压.亮度特性以及电流效率进行了测试和分析,实验结果显示,氧气等离子体处理降低了启亮电压和驱动电压,提高了发光亮度和电流效率,有效地改善了OTFEL器件的光电性能.
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| 关 键 词： | 氧化铟锡 氧气等离子体表面改性 X射线光电子能谱 原子力显微镜 透射光谱 射频等离子体 改性工艺 氧化铟锡 薄膜性能 研究 Films Oxides Quality Substrate 光电性能 发光亮度 驱动电压 显示 实验 测试 电流效率 亮度特性 器件 有机薄膜电致发光 蒸镀技术 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)02-138-05 |
| 修稿时间： | 2007年2月8日 |
RF Oxygen-Plasma Surface Modification of Substrate and Quality of Indium-Tin Oxides Films |
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| Zhong Zhiyou.RF Oxygen-Plasma Surface Modification of Substrate and Quality of Indium-Tin Oxides Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(2):138-142. |
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| Authors: | Zhong Zhiyou |
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