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| 〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响 | |
| 引用本文： | 蒋泉,罗守礼.〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响[J].稀有金属,1986(1). |
| 作者姓名： | 蒋泉 罗守礼 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院 (蒋泉)，北京有色金属研究总院(罗守礼) |
| 摘 要： | 一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>籽晶取向 |
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