偏置相关GaAs MESFET建模分析

通过对利用多组偏置条件下的Ｓ参数获得精确ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件非线性模型方法的讨论，提出了新的沟道电流的栅电容模型，并提取了ＤＣ和电容模型参数。实验结果表明该模型模拟值和测量值吻合很好。