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杂志ISSN号
静电感应晶体管I—V特性的控制
作者姓名:
刘瑞喜 李思渊
作者单位:
兰州大学物理系
摘 要:
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管,类五极管以及三-五极管的混合特性)与器件的结构及参数密切相关。沟道长度lc,沟道厚度dc,比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则,方法,引入了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制进行了讨论。
关 键 词:
静电感应晶体管 I-V特性 SIT 晶体管
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