| 工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响 |
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| 引用本文： | 谢茂浓,杜开瑛.工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响[J].半导体技术,1998,23(6):23-26. |
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| 作者姓名： | 谢茂浓 杜开瑛 |
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| 作者单位： | 四川联合大学 |
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| 摘 要： | 采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对ＸＣ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度△Ｎｏｔ、慢界面态密度△Ｎ的影响比反应室总气压ＰＣ和ＳｉＨ４／Ｏ分压比显著。△Ｎｏｔ和△Ｎｓｔ在１１０℃附近有极小值。约为１０＾１０ｃｍ＾－１２量级。Ｔｓ〉１２０℃，△Ｎｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，△Ｎｏｔ呈负电荷性，Ｓｉ－Ｏ－
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| 关 键 词： | 高频C－V特性 光CVD 硅 二氧化硅 |
Effect of Deposition Condition on Interfacial Properties of SiO 2 Si Formed by VUV Light Direct Photo CVD |
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| Xie Maonong,Du Kaiying,Liu Yurong.Effect of Deposition Condition on Interfacial Properties of SiO 2 Si Formed by VUV Light Direct Photo CVD[J].Semiconductor Technology,1998,23(6):23-26. |
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| Authors: | Xie Maonong Du Kaiying Liu Yurong |
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| Keywords: | High frequency with C V characteristic SiO 2 Si surface Photo CVD |
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