| 工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 谢茂浓 杜开瑛. 工艺参数对真空紫外光直接光CVDSiO2—Si界面特性的影响[J]. 半导体技术, 1998, 23(6): 23-26 |
| |
| 作者姓名： | 谢茂浓 杜开瑛 |
| |
| 作者单位： | 四川联合大学 |
| |
| 摘 要： | 采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对ＸＣ激发真空紫外光直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明，衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度△Ｎｏｔ、慢界面态密度△Ｎ的影响比反应室总气压ＰＣ和ＳｉＨ４／Ｏ分压比显著。△Ｎｏｔ和△Ｎｓｔ在１１０℃附近有极小值。约为１０＾１０ｃｍ＾－１２量级。Ｔｓ〉１２０℃，△Ｎｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，△Ｎｏｔ呈负电荷性，Ｓｉ－Ｏ－
|
| 关 键 词： | 高频C－V特性 光CVD 硅 二氧化硅 |
Effect of Deposition Condition on Interfacial Properties of SiO 2 Si Formed by VUV Light Direct Photo CVD |
| |
| Xie Maonong,Du Kaiying,Liu Yurong. Effect of Deposition Condition on Interfacial Properties of SiO 2 Si Formed by VUV Light Direct Photo CVD[J]. Semiconductor Technology, 1998, 23(6): 23-26 |
| |
| Authors: | Xie Maonong Du Kaiying Liu Yurong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | High frequency with C V characteristic SiO 2 Si surface Photo CVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
