| 电阻栅结构负阻异质结双极晶体管 |
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| 引用本文： | 郭维廉,齐海涛,张世林,钟鸣,梁惠来,毛陆虹,宋瑞良,胡海洋. 电阻栅结构负阻异质结双极晶体管[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1218-1223 |
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| 作者姓名： | 郭维廉 齐海涛 张世林 钟鸣 梁惠来 毛陆虹 宋瑞良 胡海洋 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津大学电子信息工程学院，天津工业大学信息与通信学院 天津300072天津工业大学信息与通信学院，天津300160，天津300072，天津300072，天津300072，天津300072，天津300072，天津300072，天津300160 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管．研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导；得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线；对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释；最后对此器件的应用前景进行了预测．
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 负阻器件；电阻栅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1218-06 |
| 修稿时间： | 2004-09-04 |
Negative Differential Resistance Heterojunction Bipolar Transistor with Resistive Gate Structure |
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| Guo Weilian,Qi Haitao,Zhang Shilin,Zhong Ming,LIANG Huilai,Mao Luhong,Song Ruiliang,Hu Haiyang. Negative Differential Resistance Heterojunction Bipolar Transistor with Resistive Gate Structure[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1218-1223 |
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| Authors: | Guo Weilian Qi Haitao Zhang Shilin Zhong Ming LIANG Huilai Mao Luhong Song Ruiliang Hu Haiyang |
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| Abstract: | The n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs negative differential resistance heterojunction bipolar transistor with resistive gate structure (RGNDRHBT) is designed and fabricated successfully.The I-V characteristics of the fabricated device are better than those in Ref.[3].Both modes on negative differential resistance characteristics for constant voltage and constant current are found,and the physical mechanism of both modes on negative differential resistance characteristics are explained.Finally,the application prospect of this device is expected. |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistor negative differential resistance device resistive gate |
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