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| 电阻栅结构负阻异质结双极晶体管 | |
| 作者姓名： | 郭维廉 齐海涛 张世林 钟鸣 梁惠来 毛陆虹 宋瑞良 胡海洋 |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津大学电子信息工程学院,天津工业大学信息与通信学院 天津300072天津工业大学信息与通信学院,天津300160,天津300072,天津300072,天津300072,天津300072,天津300072,天津300072,天津300160 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管．研制出的器件I-V特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测． |
| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 负阻器件 电阻栅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1218-06 |
| 修稿时间： | 2004-09-04 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |