| 基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计 |
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| 引用本文： | 曾轩, 陈晓娟, 刘果果, 袁婷婷, 陈中子, 张辉, 王亮, 李诚瞻, 庞磊, 刘新宇, 刘键,. 基于AlGaN/GaN HEMT的X波段内匹配功率合成放大器的设计[J]. 电子器件, 2008, 31(6) |
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| 作者姓名： | 曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞磊 刘新宇 刘键 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029;中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 利用内匹配和功率合成技术设计了X波段AlGaN/GaN HEMT功率合成放大器.电路包含有四个AlGaN/GaN HEMT和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路.在偏置条件VDS=30 V,IDS=700 mA时8 GHz测出连续波饱和输出功率达到Pat=40 dBm(10 W),最大PAE=37.44%,线性增益9 dB.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 内匹配 功率合成 功率放大器 |
X-Band Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier |
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| ZENG Xuan,CHEN Xiao-juan,LIU Guo-guo,YUAN Ting-ting,CHEN Zhong-zi,ZHANG Hui,WANG Liang,LI Chen-zhan,PANG Lei,LIU Xing-yu,LIU Jian. X-Band Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier[J]. Journal of Electron Devices, 2008, 31(6) |
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| Authors: | ZENG Xuan CHEN Xiao-juan LIU Guo-guo YUAN Ting-ting CHEN Zhong-zi ZHANG Hui WANG Liang LI Chen-zhan PANG Lei LIU Xing-yu LIU Jian |
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| Affiliation: | ZENG Xuan,CHEN Xiao-juan,LIU Guo-guo,YUAN Ting-ting,CHEN Zhong-zi,ZHANG Hui,WANG Liang,LI Chen-zhan,PANG Lei,LIU Xing-yu,LIU Jian(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Science,Beijing 100029,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT |
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