| 一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路 |
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| 引用本文： | 张冰,柴常春,杨银堂.一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路[J].半导体学报,2008,29(9):1808-1812. |
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| 作者姓名： | 张冰 柴常春 杨银堂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 摘 要： | 根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论，设计了一种新型结构保护电路，采用0.6μm 标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证. 通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下，本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%，静态电流更低，而抗ESD电压提高了近32%. 该保护电路通过了5kV的人体模型测试.
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| 关 键 词： | 静电放电 保护电路 传输线脉冲 人体模型 |
| 修稿时间： | 5/25/2008 9:47:57 PM |
A Novel ESD Protection Circuit Based on a CMOS Process |
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| Zhang Bing,Chai Changchun and Yang Yintang.A Novel ESD Protection Circuit Based on a CMOS Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(9):1808-1812. |
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| Authors: | Zhang Bing Chai Changchun and Yang Yintang |
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| Affiliation: | Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Device,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Device,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Device,School of Microelectronics,Xidian University,Xi'an 710071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrostatic discharge protection circuit transmission line pulse human-body mode |
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