| 掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响 |
| |
| 引用本文： | 司文捷 刘人淼. 掺杂对高纯氧化铝陶瓷介电损耗的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2007, 36(A01): 445-448 |
| |
| 作者姓名： | 司文捷 刘人淼 |
| |
| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084 |
| |
| 摘 要： | 综述了不同杂质及掺杂对氧化铝陶瓷介电损耗影响的研究进展。原料中的杂质会增加氧化铝陶瓷的介电损耗，但可以通过掺杂来提高氧化铝陶瓷的介电损耗。MgO的加入在低频下会增加氧化铝陶瓷的介电损耗：但在微波频段，当MgO的加入量大于Mg在氧化铝中的固溶极限时，通过优化烧结工艺，可以得到1×10^-5量级的介电损耗。加入适量的TiO2可以降低氧化铝在微波频段的损耗，但其作用机理还有待进一步研究。
|
| 关 键 词： | 氧化铝陶瓷 介电损耗 杂质 掺杂 |
| 文章编号： | 1002-185X（2007）S1-0445-04 |
| 修稿时间： | 2007-02-15 |
The Effect of Doping on the Dielectric Loss of Alumina Ceramics |
| |
| Si Wenjie, Liu Renmiao. The Effect of Doping on the Dielectric Loss of Alumina Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2007, 36(A01): 445-448 |
| |
| Authors: | Si Wenjie Liu Renmiao |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Department of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | alumina dielectric loss doping impurities |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
