| GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析 |
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| 引用本文： | 闫金良,赵银女,朱长纯.GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析[J].半导体光电,1999(4):252-254. |
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| 作者姓名： | 闫金良 赵银女 朱长纯 |
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| 作者单位： | 西安交通大学,电信学院,西安,710049 |
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| 基金项目： | "九五"预研资助项目;9523-6; |
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| 摘 要： | Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极的分辨力是第３ 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式阴极的调制传递函数（ Ｆｍ ,ｔ） ,计算了２ μｍ 厚 Ｇａ Ａｓ 阴极层的 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ｇａ Ａｓ／ Ｇａ Ａｌ Ａｓ 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。
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| 关 键 词： | 成像器件 GaAs/GaAlAs光电阴极 分辨力 量子效率 第3代像增强器 |
Resolution characteristic of GaAs/GaAlAs transmission photocathode |
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| YAN Jin-liang,ZHAO Yin-nü,ZHU Chang-chun.Resolution characteristic of GaAs/GaAlAs transmission photocathode[J].Semiconductor Optoelectronics,1999(4):252-254. |
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| Authors: | YAN Jin-liang ZHAO Yin-nü ZHU Chang-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | imaging device GaAs/GaAlAs photocathode resolution quantum efficiency third generation intensifier |
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