| InGaN光致发光性质与温度的关系 |
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| 引用本文： | 樊志军,刘祥林,万寿科,王占国.InGaN光致发光性质与温度的关系[J].半导体学报,2001,22(5):569-572. |
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| 作者姓名： | 樊志军 刘祥林 万寿科 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(合同号：69906002). |
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| 摘 要： | 分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .
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| 关 键 词： | InGaN 变温 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)05-0569-04 |
| 修稿时间： | 2000年5月1日 |
Dependence of InGaN Photoluminescence on Temperature |
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| FAN Zhi-jun,LIU Xiang-lin,WAN Shou-ke and WANG Zhan-guoWTBX.Dependence of InGaN Photoluminescence on Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(5):569-572. |
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| Authors: | FAN Zhi-jun LIU Xiang-lin WAN Shou-ke and WANG Zhan-guo[WTBX] |
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| Affiliation: | FAN Zhi-jun,LIU Xiang-lin,WAN Shou-ke and WANG Zhan-guo[WT6BX] |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN temperature photoluminescence |
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