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| SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用 | |
| 作者姓名： | 魏福立 魏汝新 孙翠景 |
| 作者单位： | 电子十三所!石家庄050051(魏福立)，电子科技大学!成都610054(魏汝新)，河北经贸大学!石家庄050061(孙翠景) |
| 摘 要： | 介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响 |
| 关 键 词： | SiGe工艺 特征频率 功率增益 功率附加效率 |
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