| RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型 |
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| 引用本文： | 刘军,孙玲玲,文进才.RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型[J].半导体学报,2007,28(9):1448-1453. |
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| 作者姓名： | 刘军 孙玲玲 文进才 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310037;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310037;杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310037 |
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| 摘 要： | 提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.
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| 关 键 词： | 累积型MOS变容管 射频模型 方程 连续 可导 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）09-1448-06 |
| 收稿时间： | 3/5/2007 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 2007-03-05 |
RF-CMOS Modeling:An Improved Accumulation-Mode MOS Varactor Model |
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| Liu Jun,Sun Lingling and Wen Jincai.RF-CMOS Modeling:An Improved Accumulation-Mode MOS Varactor Model[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9):1448-1453. |
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| Authors: | Liu Jun Sun Lingling and Wen Jincai |
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| Affiliation: | Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310037,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | accumulation-mode MOS varactor RF model equation continuous derivative |
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