| 一种噪声系数为1.4 dB的S波段MMIC低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 黄华, 张海英, 杨浩, 尹军舰, 叶甜春,.一种噪声系数为1.4 dB的S波段MMIC低噪声放大器[J].电子器件,2007,30(3):808-810,814. |
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| 作者姓名： | 黄华 张海英 杨浩 尹军舰 叶甜春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50 μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿真无源元件寄生效应.电路测试结果表明:在2.8～3.5 GHz 频段内噪声系数低于1.4 dB,同时相关增益大于25 dB,增益平坦度小于0.5 dB,输入输出反射损耗小于-10 dB.
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| 关 键 词： | 微波单片集成电路 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 S波段 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）03-0808-03 |
| 修稿时间： | 2006-06-28 |
1.4 dB Noise Figure S-Band MMIC Low Noise Amplifier |
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| HUANG Hu,ZHANG Hai-ying,YANG Hao,YIN Jun-jian,YE Tian-chun.1.4 dB Noise Figure S-Band MMIC Low Noise Amplifier[J].Journal of Electron Devices,2007,30(3):808-810,814. |
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| Authors: | HUANG Hu ZHANG Hai-ying YANG Hao YIN Jun-jian YE Tian-chun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MMIC low noise amplifier(LNA) PHEMT S band |
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