| Ti(0001)表面低能沉积Ti原子的分子动力学模拟 |
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| 引用本文： | 黄河,颜超,赖新春,刘天伟,张庆瑜.Ti(0001)表面低能沉积Ti原子的分子动力学模拟[J].金属学报,2009,45(2). |
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| 作者姓名： | 黄河 颜超 赖新春 刘天伟 张庆瑜 |
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| 作者单位： | 1. 中国工程物理研究院,绵阳,621700
2. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金-中国工程物理研究院联合基金(NSAF基金) |
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| 摘 要： | 采用嵌入原子势,运用分子动力学(MD)研究了Ti(0001)表面低能沉积不同能量Ti原子时表面吸附、溅射和空位的变化.低能Ti原子沉积Ti(0001)表面过程中,存在一个溅射能量阈值,其值大约为40-50 eV.入射原子能量低于溅射阈值时,入射原子可以认为是沉积原子;入射原子能量大于溅射阈值时,溅射产额随入射原子能量的增加而线性增加.表面吸附原子和溅射原子的分布都呈现6次旋转对称,当入射原子能量大于溅射阈值时,表面吸附原子主要是基体表层原子,入射原子直接成为表面吸附原子的概率很小.空位缺陷主要分布在基体的最表层,当入射原子能量大于溅射阈值时,基体次表层产生的空位缺陷随入射原子能量的增加而增多.
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| 关 键 词： | 分子动力学(MD) 嵌入原子法(EAM) 溅射 吸附 空位 |
MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF DEPOSITING LOW-ENERGY ATOM Ti ON Ti(0001)SURFACE |
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| HUANG He,YAN Chao,LAI Xinchun,LIU Tianwei,ZHANG Qingyu.MOLECULAR DYNAMICS SIMULATION OF DEPOSITING LOW-ENERGY ATOM Ti ON Ti(0001)SURFACE[J].Acta Metallurgica Sinica,2009,45(2). |
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| Authors: | HUANG He YAN Chao LAI Xinchun LIU Tianwei ZHANG Qingyu |
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