| SiC单晶片的超精密加工 |
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| 引用本文： | 李娟,陈秀芳,马德营,姜守振,李现祥,王丽,董捷,胡小波,徐现刚,王继扬,蒋民华. SiC单晶片的超精密加工[J]. 功能材料, 2006, 37(1): 70-72 |
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| 作者姓名： | 李娟 陈秀芳 马德营 姜守振 李现祥 王丽 董捷 胡小波 徐现刚 王继扬 蒋民华 |
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| 作者单位： | 山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目 , 中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 半导体晶片的加工质量和精度,直接影响到器件的性能.本文提出了一种超精密加工SiC晶片的方法,并详细论述了化学机械抛光的原理.加工后的SiC单晶片,平整度为±3μm,粗糙度＜5nm,且应力较小.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 粗糙度 平整度 |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)01-0070-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-16 |
| 修稿时间： | 2005-07-25 |
High-prcesion processing of silicon carbide |
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| LI Juan,CHEN Xiu-fang,MA De-ying,JIANG Shou-zhen,LI Xian-xiang,WANG Li,DONG Jie,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,WANG Ji-yang,JIANG Min-hua. High-prcesion processing of silicon carbide[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(1): 70-72 |
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| Authors: | LI Juan CHEN Xiu-fang MA De-ying JIANG Shou-zhen LI Xian-xiang WANG Li DONG Jie HU Xiao-bo XU Xian-gang WANG Ji-yang JIANG Min-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cheml-mecantcal polishing roughness flatness |
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