| DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器 |
| |
| 引用本文： | 袁明文,王淑君,王福兴,梁广军.DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器[J].微纳电子技术,1995(1). |
| |
| 作者姓名： | 袁明文 王淑君 王福兴 梁广军 |
| |
| 作者单位： | 石家庄电子部第１３研究所 |
| |
| 摘 要： | 介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。
|
| 关 键 词： | 单片集成，放大器 |
ADC～1. 5GHz GaAs Monolithic Integrated Transimpedance Amplifier |
| |
| Yuan Mingwen,Wang Shujun,Wang Fuxing,Liang Guangiun.ADC～1. 5GHz GaAs Monolithic Integrated Transimpedance Amplifier[J].Micronanoelectronic Technology,1995(1). |
| |
| Authors: | Yuan Mingwen Wang Shujun Wang Fuxing Liang Guangiun |
| |
| Abstract: | A GaAs monolithic integrated transimpedance amplifier using 8 GaAs MESFETs and 7 diodes is demonstrated.This amplifier achieves 18dB gain in the DC～.5GHzfrequency range and less than 4.3dB noise figure(f =400MH2,Rs=R_L=50Ω)。 |
| |
| Keywords: | Monomhic integration Amplifier |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
