| MOCVD外延生长GaN材料的技术进展 |
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| 引用本文： | 张冠英,梅俊平,解新建. MOCVD外延生长GaN材料的技术进展[J]. 半导体技术, 2010, 35(3): 201-204. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.001 |
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| 作者姓名： | 张冠英 梅俊平 解新建 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,天津,300130;河北工业大学,天津,300130;河北工业大学,天津,300130 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金(F2009000124) |
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| 摘 要： | 第三代半导体材料GaN由于具有优良性质使其在微电子和光电子领域有广阔的应用前景,目前制备GaN的方法主要有分子束(MBE)、氯化物气相外延(HVPE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)。其中HVPE技术制备GaN的速度最快,适合制备衬底材料;MBE技术制备GaN的速度最慢;而MOCVD制备速度适中。因而MOCVD在外延生长GaN材料方面得到广泛应用。介绍了MOCVD法外延生长GaN材料的基本理论、发展概况、利用MOCVD法外延生长GaN材料的技术进展。认为应结合相关技术发展大面积、高质量GaN衬底的制备技术,不断完善缓冲层技术,改进和发展横向外延技术,加快我国具有国际先进水平的MOCVD设备的研发速度,逐步打破进口设备的垄断。
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| 关 键 词： | 金属有机化合物化学气相沉积 氮化镓 异质外延 横向外延 MOCVD设备 |
Development of the Growth of GaN Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition of GaN Growth |
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| Zhang Guanying,Mei Junping,Xie Xinjian. Development of the Growth of GaN Prepared by Metal Organic Chemical Vapor Deposition of GaN Growth[J]. Semiconductor Technology, 2010, 35(3): 201-204. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.001 |
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| Authors: | Zhang Guanying Mei Junping Xie Xinjian |
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| Affiliation: | Hebei University of Technology;Tianjin 300130;China |
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| Abstract: | Gallium-nitride-semiconductor offers good potential value for application in a wide range of optical display,optical recording and illumination due to its excellent quality.At present,molecular beam epitaxity(MBE),Chloride vapor phase epitaxy(HVPE)and metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)are used to prepared GaN.The highest growth rate of GaN can be got by HVPE,and this technique is suitable to prepare GaN substrates,the growth rate is the lowest by MBE,MOCVD is widely used in the growth of GaN bec... |
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| Keywords: | MOCVD GaN heteroepitaxy lateral epitaxy MOCVD equipment |
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