| 衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响 |
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| 引用本文： | 熊传兵,方文卿,蒲勇,戴江南,王立,莫春兰,江风益.衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响[J].半导体学报,2004,25(12):1628-1633. |
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| 作者姓名： | 熊传兵 方文卿 蒲勇 戴江南 王立 莫春兰 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mmAl2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征,报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果.研究结果表明,在500～700℃范围内随生长温度升高,ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽,表面粗糙度减小,晶粒尺寸增大,在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱.
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| 关 键 词： | MOCVD ZnO X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)12-1628-06 |
| 修稿时间： | 2003年11月5日 |
Effect of Growth Temperature on Properties of Single Crystalline ZnO Films Prepared by Atmospheric MOCVD |
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| Xiong Chuanbing,Fang Wenqing,Pu Yong,Dai Jiangnan,Wang Li,Mo Chunlan and Jiang Fengyi.Effect of Growth Temperature on Properties of Single Crystalline ZnO Films Prepared by Atmospheric MOCVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(12):1628-1633. |
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| Authors: | Xiong Chuanbing Fang Wenqing Pu Yong Dai Jiangnan Wang Li Mo Chunlan and Jiang Fengyi |
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| Keywords: | MOCVD ZnO XRD AFM PL |
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