| TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能 |
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| 引用本文： | 卞铁荣,李虹艳,卢正欣,高坤,井晓天.TiNiCu合金薄膜的制备及形状记忆性能[J].电镀与涂饰,2006,25(9):13-15. |
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| 作者姓名： | 卞铁荣 李虹艳 卢正欣 高坤 井晓天 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710048
2. 西安理工大学现代分析测试中心,陕西,西安,710048 |
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| 摘 要： | 采用镶嵌靶、通过直流磁控溅射法在不加热的情况下于硅基片上制备了Ti-49．57％Ni-5．6％Cu合金薄膜。XRD图谱表明,该薄膜为非晶态。对其进行的退火晶化后的形状记忆性能研究发现:薄膜分别经550℃×0．5 h、650℃×0．5 h晶化处理后无残余塑变存在下的最大恢复应力、最大恢复应变分别为180 MPa、2．7％;90 MPa、1．4％。
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| 关 键 词： | 硅基片 直流磁控溅射 TiNicu薄膜 非晶态 晶化 退火 形状记忆 恢复应力 恢复应变 |
| 文章编号： | 1004-227X（2006）09-00013-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-24 |
| 修稿时间： | 2005-10-242006-03-06 |
Preparation and shape memory property of TiNiCu alloy thin film |
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| BIAN Tie-rong,LI Hong-yan,LU Zheng-xin,GAO Kun,JING Xiao-tian.Preparation and shape memory property of TiNiCu alloy thin film[J].Electroplating & Finishing,2006,25(9):13-15. |
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| Authors: | BIAN Tie-rong LI Hong-yan LU Zheng-xin GAO Kun JING Xiao-tian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon chip DC magnetron sputtering TiNiCu thin film amorphous state crystallization annealing shape memory recovery stress recovery strain |
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