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电致变色热控器件透明导电层的制备与研究
引用本文:王洁冰,何延春,许旻,邱家稳,吴春华,赵印中. 电致变色热控器件透明导电层的制备与研究[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(Z1): 83-87
作者姓名:王洁冰  何延春  许旻  邱家稳  吴春华  赵印中
作者单位:中国航天科技集团五院510所,表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000
摘    要:本文针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素(溅射压强、氩/氧比例、退火温度等)进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100 Ω~120 Ω左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5%,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求.

关 键 词:电致变色器件  ITO薄膜  制备工艺  电致变色器件  热控器件  导电层  工艺研究  Fabrication  Device  Electrochromic  Used  Films  Properties  吸收率  光谱范围  薄膜电阻  薄膜性能  测试  分析  退火温度  比例  压强  影响因素
文章编号:1672-7126(2008)增刊-083-05
修稿时间:2007-08-25

Growth and Properties of ITO Films Used in Electrochromic Device Fabrication
Wang Jiebing,He Yanchun,Xu Min,Qiu Jiawen,Wu Chunhua,Zhao Yinzhong. Growth and Properties of ITO Films Used in Electrochromic Device Fabrication[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2008, 28(Z1): 83-87
Authors:Wang Jiebing  He Yanchun  Xu Min  Qiu Jiawen  Wu Chunhua  Zhao Yinzhong
Abstract:
Keywords:
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