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| The analysis of the current–voltage characteristics of the high barrier Au/Anthracene/n-Si MIS devices at low temperatures | |
| 摘 要： | |
| 收稿时间： | 7 November 2012 |
| 修稿时间： | 8 May 2013 |
| 本文献已被 ScienceDirect 等数据库收录！ | |
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