| 含空位的二维GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 作者姓名： | 张丽丽 王晓东 马磊 张文 卫来 黄以能 |
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| 作者单位： | 1.伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室, 新疆 伊宁 835000;2.伊犁师范大学 物理科学与技术学院 新疆凝聚态相变与微结构实验室, 新疆 伊宁 835000;南京大学物理学院 固体微结构物理国家重点实验室, 江苏 南京 210093 |
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| 基金项目： | 伊犁师范大学提升学科综合实力专项项目 ( 22XKZZ24 );伊犁师范大学校级重点项目 ( 2023YSZD003 ) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论,计算了二维GaN及其Ga、N空位体系的电子结构和光学性质,通过形成能的计算分析了空位缺陷体系的稳定性,然后进一步计算了各体系的电子结构,分析并讨论了空位缺陷对吸收光谱的影响.计算结果表明:Ga-N空位体系形成能最小,该结构最容易形成;Ga空位体系产生的缺陷能级使二维GaN呈现p型半导体特性,反之N空位缺陷呈现n型半导体特性,缺陷能级的出现有利于提高二维GaN电子迁移率以及光响应能力;各空位体系的吸收光谱均发生红移,其吸收系数在低能区域均大于本征二维GaN,这说明Ga、N空位的产生可以提升二维GaN对可见光的吸收能力.
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| 关 键 词： | 二维GaN 空位缺陷 能带对齐 吸收光谱 第一性原理 |
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