印刷半导体碳纳米管薄膜晶体管光电性能研究 |
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作者姓名: | 刘振 徐文亚 钱龙 赵建文 崔铮 |
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作者单位: | 大连交通大学材料科学与工程学院;中国科学院 |
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基金项目: | 国家自然基金青年基金项目(91123034,61102046);江苏省自然基金(BK2011364)资助 |
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摘 要: | 本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFODBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能。在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管。用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件。印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(10~7)和高迁移率(15.6 cm~2·V~(-1)·s~(-1))。并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性。
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关 键 词: | 半导体性碳纳米管 聚合物 印刷电子 薄膜晶体管 光响应特性 |
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