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vfBGA内部芯片断裂问题
引用本文:庞恩文,林晶,郁芳,宗祥福. vfBGA内部芯片断裂问题[J]. 半导体学报, 2002, 23(9): 977-982. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.09.016
作者姓名:庞恩文  林晶  郁芳  宗祥福
作者单位:1. 复旦大学材料科学系,上海,200433;2. 上海大学嘉定校区材料科学与工程学院电子信息材料系,上海,201800
摘    要:利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因.研究发现,测试过程中设备与器件间的非正常接触所产生的应力集中是导致芯片断裂的根本原因.

关 键 词:有限元分析  芯片断裂  vfBGA  ANSYS
文章编号:0253-4177(2002)09-0977-06
修稿时间:2001-11-25

Inner Die Crack Simulation of vfBGA
Pang Enwen ,Lin Jing ,Yu Fang and Zong Xiangfu. Inner Die Crack Simulation of vfBGA[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2002, 23(9): 977-982. DOI: 10.3969/j.issn.1674-4926.2002.09.016
Authors:Pang Enwen   Lin Jing   Yu Fang   Zong Xiangfu
Affiliation:Pang Enwen 1,Lin Jing 1,Yu Fang 2 and Zong Xiangfu 1
Abstract:The ANSYS software is employed to analyze the inner die crack of vfBGA.A suitable 3D model and the minimum stress causing die crack are achieved by modeling and estimating.The crucial cause of inner die crack is predicted and found after the simulation of the test process.It is the great stress induced by the abnormal contact between the testing equipment and vfBGA unit that causes the inner die crack.
Keywords:finite element analysis  die crack  vfBGA  ANSYS
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