|
|||||
|
|
| 带缓冲层的新型InGaAs异质结构APD | |
| 作者姓名： | 张华 |
| 摘 要： | <正> 日本KDD研究和发展实验室提出了一种新型异质结构雪崩光电二极管,并且已用液相外延和锌扩散方法成功地制造了这种器件。这种器件是由InP衬底上连续生长三层的外延片所构成,即In_(0.53)Ga_(0.47)As光吸收层、InGaAsP缓冲层和InP雪崩倍增层。器件在0.9V_B下暗电流密度达到1×10~(-4)A/cm~2,当用1.15μm的光照时,二极管的最大倍增增益为880,外量 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |