| 使用AFM测量纳米尺度刻线边缘粗糙度的影响因素的研究 |
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| 引用本文： | 赵学增,李宁,周法权,李洪波. 使用AFM测量纳米尺度刻线边缘粗糙度的影响因素的研究[J]. 光学精密工程, 2009, 17(4): 839-848 |
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| 作者姓名： | 赵学增 李宁 周法权 李洪波 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,机械电子工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金，哈尔滨工业大学校基金 |
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| 摘 要： | 随着半导体制造技术降至100nm以下技术节点，刻线边缘粗糙度的测量与控制已成为纳米测量中的研究热点之一。本文对使用原子力显微镜(AFM)测量半导体刻线边缘粗糙度的影响因素问题进行了研究。根据线边缘粗糙度测量与表征的特点对各种影响因素进行理论和实验分析，包括探针针尖尺寸与形状的非理想性、AFM扫描图像的噪声、扫描采样间隔、压电晶体驱动精度、悬臂梁振动以及线边缘检测算法中的自由参数等。在对这些影响因素进行分析的基础上分别提出抑制及修正方法，从而在一定程度上提高LER测量结果的准确度，为实现半导体制造业不断提高的刻线形貌测量的精度要求提供了可行性参考。
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| 关 键 词： | 纳米测量 线边缘粗糙度 原子力显微镜 测量误差分析 |
| 收稿时间： | 2008-06-20 |
| 修稿时间： | 2008-08-04 |
Research on the Influence Factors of Nano-scale Line Edge Roughness Measurement Using AFM |
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| ZHAO Xue-zeng,LI Ning,ZHOU Fa-quan,Li Hong-bo. Research on the Influence Factors of Nano-scale Line Edge Roughness Measurement Using AFM[J]. Optics and Precision Engineering, 2009, 17(4): 839-848 |
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| Authors: | ZHAO Xue-zeng LI Ning ZHOU Fa-quan Li Hong-bo |
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| Affiliation: | School of Mechatronics Engineering;Harbin Institute of Technology;Harbin 150001;China |
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| Abstract: | In order to improve the measuring precision and controling precision of the Line Edge Roughness(LER) in microelectronics fabrication technologies,the influence factors of LER measure-ments for semiconductors using Atomic Force Microscope(AFM) is studied.Firstly,the LER features are extracted from an AFM image of single crystal silicon based on image processing techniques,and the parameters are determined to quantitatively characterize the LER features.Then,according to the characteristics of LER measurement... |
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| Keywords: | nanometrology Line Edge Roughness (LER) Atomic Force Microscope (AFM) measurement error analysis |
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