硅低温双极晶体管的优化设计与制备─—I.优化设计理论 |
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作者姓名: | 郑茳 肖志雄 吴金 魏同立 |
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作者单位: | 东南大学微电子中心 |
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基金项目: | 国家自然科学基金“八五”重点资助项目 |
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摘 要: | 本文研究了硅双极晶体管电流增益和截止频率的低温物理特性,提出了电流增益在低温下将随发射区杂质浓度的下降和基区杂质浓度的上升而上升的新理论,得出了低温下硅中浅能级杂质将起有效陷阱作用的新结论。在上述基础上,本文对发射区、基区和收集区的掺杂分布进行了优化设计,这将成为获得高性能硅低温双极晶体管的重要设计依据和理论基础。
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关 键 词: | 低温器件,双极晶体管,硅器件,优化设计 |
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