| GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的光束质量 |
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| 引用本文： | 王绍民,赵道木,周国泉.GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的光束质量[J].激光与光电子学进展,2001(9). |
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| 作者姓名： | 王绍民 赵道木 周国泉 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学物理系,
2. 浙江大学物理系;浙江林学院信息系 |
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| 摘 要： | 设计了一大角度能将非傍轴光束非截取地变换到傍轴光束的光学变换系统,并应用于测量650 nm GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的等效光束质量.垂直于结方向上的光束经变换后的第二束腰的位置,要比平行于结方向上的远.实验测得平行于结方向上的等效光束质量因子是1.2;垂直于结方向上的等效光束质量因子是0.6.综合考虑各种因素,实验的测量误差约为±20%.随后,用波导模式理论和非傍轴矢量矩理论对各类激光器的光束质量进行了初步的理论分析和计算,得到光束质量因子小于1的基本条件是发射区的尺寸小于0.3个波长.由于目前变换系统还存在着像差,实验结果与理论计算值尚有一定差距,因此该光学变换系统有待于进一步改进、完善.通过这一研究,有助于半导体激光器有源区尺寸的优化设计和半导体激光器的优化封装,从而有利于半导体激光器性能的综合改善,以提高其使用性能,拓展其应用范围,推动半导体激光器科学技术的研究、应用和发展.(OG15)
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