| 多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制 |
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| 引用本文： | 段家忯,姚光庆,张丽珠,张伯蕊,宋海智,秦国刚.多孔硅光致发光谱中双峰结构随激发光波长的变化与发光机制[J].半导体学报,1995,16(4):268-271. |
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| 作者姓名： | 段家忯 姚光庆 张丽珠 张伯蕊 宋海智 秦国刚 |
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| 作者单位： | [1]北京大学物理系，北京100871 [2]北京大学化学系，北京100 |
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| 摘 要： | 在室温下系统地观测了多孔硅样品的光致发光谱随激发光波长的变化．在激发波长为２６０—３２０ｎｍ范围内，光致发光谱出现明显的双峰结构，两峰峰位分别位于６１０ｎｍ和７００ｎｍ波长附近．当激发波长由２６０ｎｍ开始逐渐增加时，短波峰与长波峰强度之比先增加，随后达极大值，它略大于１，以后，此比值急剧减小，逐渐趋于零，即只存在单一长波峰．以上现象难于用量子限制模型解释．假设在包围纳米硅粒的二氧化硅层中存在两种发光中心，可以用量子限制／发光中心模型来解释上述实验现象．
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光谱 双峰结构 发光波长 |
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