| 星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究 |
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| 引用本文： | 薛玉雄,曹洲,郭祖佑,杨世宇,田恺. 星用功率MOSFET器件总剂量效应试验研究[J]. 核电子学与探测技术, 2008, 28(3) |
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| 作者姓名： | 薛玉雄 曹洲 郭祖佑 杨世宇 田恺 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000;兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000;兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000;兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000;兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平.
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| 关 键 词： | 辐射效应 功率MOSFET器件 总剂量效应 7射线 |
Study of Total Ionization Dose Test of Power MOSFET for Satellite Applications |
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| XUE Yu-xiong,CAO Zhou,GUO Zu-you,YANG Shi-yu,TIAN Kai. Study of Total Ionization Dose Test of Power MOSFET for Satellite Applications[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2008, 28(3) |
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| Authors: | XUE Yu-xiong CAO Zhou GUO Zu-you YANG Shi-yu TIAN Kai |
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