一款基于0.13微米CMOS工艺,0.1-18GHz采用双反馈和噪声消除技术的低噪声放大器设计 |
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作者姓名: | 梁元 |
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作者单位: | 西安电子科技大学 |
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基金项目: | State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology, the Key Laboratory of Wide Band-gap Semiconductor Materials and Devices of Ministry of Education, the Fundamental Research Funds for Central Universities |
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摘 要: | 介绍一款1.2伏0.1-18GHz超带宽级联型低噪声放大器。该LNA采用反馈网络来简化超宽带匹配并且不导致振荡。引入反相器结构作为第二级从而实现噪声消除。同时采用了感性尖峰技术来拓展带宽,所采用电感占用较小面积。带内噪声指数小于4dB,输入输出反射系数均优于-10dB。最大,最小正向增益分别为15.34dB,14.54d,带内平稳增益得以实现。9GHz得到的IIP3和1dB增益压缩点分别为-4dBm及-24dbm。总功耗为30mW。
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关 键 词: | 固态器件及电路;计算机辅助设计;超带宽低噪声放大器;级联结构;双反馈结构;噪声消除技术 |
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