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高硅富铟渣氧压酸浸过程中浸铟沉硅的研究
引用本文:贺山明,吴鑫,梁勇,廖春发. 高硅富铟渣氧压酸浸过程中浸铟沉硅的研究[J]. 有色金属(冶炼部分), 2020, 0(1): 56-59
作者姓名:贺山明  吴鑫  梁勇  廖春发
作者单位:江西理工大学 冶金工程学院,江西理工大学 冶金工程学院,江西理工大学 冶金工程学院,江西理工大学 冶金工程学院
基金项目:国家自然科学基金青年基金资助项目(51704133);江西省省级研究生教改研究项目(JXYJG-2018-127);江西理工大学清江青年英才支持计划项目(JXUSTQJBJ2017004);江西理工大学校级大学生创新创业训练计划项目(DC2018-015)
摘    要:采用氧压酸浸工艺处理高硅富铟渣,系统考察了始酸浓度、氧分压、反应温度、反应时间和液固比等对浸铟沉硅效果的影响。试验结果表明:在始酸浓度120g/L、液固比5∶1、釜内压力0.6MPa、反应温度160℃、反应时间1.5h的条件下,铟浸出率高达97.3%,硅沉淀率为98.5%;高压高温工艺能抑制富铟渣酸浸过程中硅胶的形成,浸出矿浆的过滤性能良好。

关 键 词:富铟渣  氧压酸浸  硅胶  浸出率
收稿时间:2019-09-05
修稿时间:2019-09-09

Study on Indium Leaching and Silicon Precipitation from Indium-Rich High-Silicon Bearing Slag during Oxygen Pressure Acid Leaching
Shanming He,Xin Wu,Yong Liang and Chunfa Liao. Study on Indium Leaching and Silicon Precipitation from Indium-Rich High-Silicon Bearing Slag during Oxygen Pressure Acid Leaching[J]. Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy), 2020, 0(1): 56-59
Authors:Shanming He  Xin Wu  Yong Liang  Chunfa Liao
Affiliation:Faculty of Metallurgical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology
Abstract:Indium-rich slag was treated by oxygen pressure acid leaching process.Effects of initial acid concentration,pressure in autoclave,temperature,time and L/S on indium leaching and silicon precipitation were investigated.The results show that indium leaching rate is 97.3%and silicon precipitation rate is 98.5%under the conditions including initial acid concentration of 120g/L,L/S=5/1,pressure in autoclave of 0.6 MPa,reaction temperature of 160℃,and reaction time of 1.5h.High pressure and high temperature process can inhibit formation of silica gel during acid leaching of indium-rich slag,and leaching slurry has good filtration performance.
Keywords:indium-rich slag   oxygen pressure acid leaching   silica gel   leaching rate
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