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| 基于SOI工艺的高可靠有源像素研究 | |
| 引用本文： | 田犁,苗田乐,危峻,汪辉.基于SOI工艺的高可靠有源像素研究[J].电子器件,2013,36(6). |
| 作者姓名： | 田犁 苗田乐 危峻 汪辉 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 基于SOI衬底材料提出了一种新型的 CMOS图像传感器有源像素结构，建立了与之相对应的二维器件仿真模型，利用Sentaurus Device仿真工具对该结构的单粒子效应（Single-Event Effects）进行了模拟仿真研究。仿真结果显示在像素周围引入P+重掺杂保护层能够有效隔离像素使受辐射像素相邻像素收集到的噪声电子数减小，证明此像素结构具有一定的抗单粒子辐照性能。 |
| 关 键 词： | 微电子学与固体电子学 有源像素 P+重掺杂保护层 单粒子效应 电荷分享 |
Highly reliable active pixel research based on SOI technology |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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