| 氮气退火对NiO/ZnO薄膜PN结的影响 |
| |
| 引用本文： | 赵启义,祁康成,舒文丽,李国栋.氮气退火对NiO/ZnO薄膜PN结的影响[J].电子器件,2012,35(1). |
| |
| 作者姓名： | 赵启义 祁康成 舒文丽 李国栋 |
| |
| 作者单位： | uestc |
| |
| 基金项目： | ZnO/a-Si异质结太阳电池研究 |
| |
| 摘 要： | 利用磁控溅射法，在ITO玻璃基底上沉积NiO薄膜和ZnO:Al（Al掺杂的ZnO或AZO）薄膜，制备具有半导体特性的NiO/ZnO透明异质结二极管。使用UV—1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO薄膜性能的影响。实验结果表明： 500℃退火范围内，NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升，500℃时透过率在80%以上，NiO/ZnO薄膜的透过率明显提高；在400℃时，NiO/ZnO薄膜整流特性最佳。
|
| 关 键 词： | 磁控溅射 NiO薄膜 ZnO:Al薄膜 氮气退火 磁控溅射 |
Effects of Nitrogen Annealing on the PN Junction of NiO/ZnO Thin Film |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
|
