| ULSI中铜互连线技术的关键工艺 |
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| 引用本文： | 张国海,夏洋,龙世兵,钱鹤. ULSI中铜互连线技术的关键工艺[J]. 微电子学, 2001, 31(2): 146-149 |
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| 作者姓名： | 张国海 夏洋 龙世兵 钱鹤 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心,
2. 北京科技大学, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目!(6 9936 0 2 0 ) |
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| 摘 要： | 简述了ULSI中采用以铜作为互连线技术的工艺过程及其研究发展状况，并着重对铜互连线技术中扩散阻挡层的选取、铜淀积工艺的研究及化学机械抛光技术的平整度问题等一系列关键工艺作了较系统的分析与探讨。
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| 关 键 词： | ULSI 铜互连线 扩散阻挡层 化学机械抛光 工艺过程 集成电路 |
| 文章编号： | 1004-3365(2001)02-0146-04 |
| 修稿时间： | 2000-06-21 |
Key Technologies for Copper Interconnections in ULSI |
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| ZHANG Guo-hai,XIA Yang,LONG Shi-bing,QIAN He. Key Technologies for Copper Interconnections in ULSI[J]. Microelectronics, 2001, 31(2): 146-149 |
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| Authors: | ZHANG Guo-hai XIA Yang LONG Shi-bing QIAN He |
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| Affiliation: | WT5BZ]ZHANG Guo hai 1,XIA Yang 1,LONG Shi bing 2,QIAN He 1 [WT6BX] |
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| Abstract: | The process of copper interconnections in ULSI and its development are described in this paper. Furthermore, the key technologies, such as barrier selection, copper deposition and chemical mechanical polishing(CMP) are analyzed and discussed in detail. |
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| Keywords: | ULSI Copper interconnections Diffusion barrier Chemical mechanical polishing |
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