| 双E 型加速度传感器硅芯片的优化设计 |
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| 引用本文： | 唐世洪 张克梅 邓永和 谭子尤. 双E 型加速度传感器硅芯片的优化设计[J]. 传感技术学报, 2003, 16(1): 85-87 |
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| 作者姓名： | 唐世洪 张克梅 邓永和 谭子尤 |
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| 作者单位： | 吉首大学物理与电子工程系,传感技术实验室,湖南,吉首市,416000 |
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| 基金项目： | 专利号 :ZL0 12 4 9378.3 |
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| 摘 要： | 介绍了最新优化设计的双E型加速度传感器硅芯片结构和工艺的实现。通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度，即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。
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| 关 键 词： | 硅芯片 加速度传感器 |
| 文章编号： | 1004-1699(2003)01-0085-03 |
| 修稿时间： | 2002-10-14 |
Optimized Design of Dual- E Si licon Ccelerometer Chip |
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| TANG Shihong CHANG Kemei DENG Yonghe TAN Ziyou. Optimized Design of Dual- E Si licon Ccelerometer Chip[J]. Journal of Transduction Technology, 2003, 16(1): 85-87 |
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| Authors: | TANG Shihong CHANG Kemei DENG Yonghe TAN Ziyou |
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| Abstract: | The new silicon chip of dual-E detailed introduction of the structure and the realization of the technology is reported. Producing the chip and the sensitive element of different scales by controlling the thickness of different sensitive films. |
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| Keywords: | silicon chip accelerometer different sensitive element |
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